采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5865NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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漏源电压：60V
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连续漏极电流：46A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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功率：71W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
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连续漏极电流：46A
类型：N沟道
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