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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 46A
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1 起订702个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1 起订702个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":10000,"24+":2160}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5L120ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1589pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9624-55A,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9624-55A,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9624-55A,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:105W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订4500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订4500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9629-100B,118 起订506个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9629-100B,118 起订506个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":110,"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9629-100B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:157W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4360pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5865NLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5865NLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5865NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订7500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订7500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL60N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€72W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5865NLT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5865NLT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5865NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA94EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA94EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL60N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€72W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5L120ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1589pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5L120ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5L120ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.2V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1589pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA84EP-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA84EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL60N10F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL60N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€72W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@50V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN014-40YS,115 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:702pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y19-55B,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y19-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:85W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1992pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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