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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：733，"21+"：22358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PH1225AL，115
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10220，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10220，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：733，"21+"：22358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PH1225AL，115
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
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栅极电荷：105nC@10V
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类型：N沟道
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
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类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10220，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
连续漏极电流：100A
输入电容：6700pF@25V
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
连续漏极电流：100A
输入电容：6700pF@25V
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：733，"21+"：22358}
规格型号(MPN)：PH1225AL，115
栅极电荷：105nC@10V
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：25V
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：733，"21+"：22358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PH1225AL，115
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
