品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2463T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3065T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3065T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3065T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3065T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8800EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:123pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3065T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: