采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A65W5，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
连续漏极电流：17.3A
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
工作温度：150℃
功率：156W
输入电容：1800pF@300V
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：3.5V@900µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
栅极电荷：34nC@20V
连续漏极电流：17.3A
输入电容：665pF@800V
导通电阻：224mΩ@12A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
ECCN：EAR99
功率：111W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
栅极电荷：34nC@20V
连续漏极电流：17.3A
输入电容：665pF@800V
导通电阻：224mΩ@12A，20V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
ECCN：EAR99
功率：111W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17E65W，S1X
工作温度：150℃
功率：165W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：34psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：111W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@20V
包装方式：管件
输入电容：665pF@800V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
