包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50ND
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP15N65M5
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:810pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N65M5
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:816pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60T
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13NM60ND
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:365mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13NM60ND
工作温度:150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM80
工作温度:-65℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:43.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1630pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: