品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":240,"21+":5040,"22+":15600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:455mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":350,"11+":659500,"14+":3075,"16+":2400}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40SNAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40SNAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:455mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40SNAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:468mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.8A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401VNEAZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@6V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40SNAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@400V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":240,"21+":5040,"22+":15600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: