采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：17425，"15+"：1500，"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R1K4CEBKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：17425，"15+"：1500，"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R1K4CEBKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
