品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3732UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40.8pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMX100UNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€4.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:2.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:144pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT1N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:41.7W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@650mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2218
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS331N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:162pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT1N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:41.7W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@650mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT1N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:41.7W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@650mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2600UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: