采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
输入电容：8100pF@60V
工作温度：150℃
栅极电荷：130nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：120V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
功率：255W
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
连续漏极电流：72A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：192W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5500pF@40V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@36A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：630mW€104W
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：175℃
输入电容：2770pF@30V
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：72A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
