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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3030KLGC11
工作温度：175℃
功率：339W
阈值电压：5.6V@13.3mA
栅极电荷：131nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2222pF@800V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R806PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SCT3030KLGC11
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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栅极电荷：131nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2222pF@800V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，18V
漏源电压：1200V
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输入电容：2770pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
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栅极电荷：131nC@18V
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连续漏极电流：72A
类型：N沟道
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连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，18V
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功率：630mW€104W
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栅极电荷：29nC@10V
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输入电容：2770pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
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类型：N沟道
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工作温度：175℃
功率：339W
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类型：N沟道
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功率：339W
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栅极电荷：131nC@18V
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输入电容：2222pF@800V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，18V
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2770pF@30V
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导通电阻：3.5mΩ@36A，10V
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