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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    类型:N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订10个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

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    功率:39W

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    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订500个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订10个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    输入电容:138pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    输入电容:138pF@25V

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    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

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    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    输入电容:138pF@25V

    功率:39W

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:600V

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":42,"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2980
    ST Mosfet场效应管 STN4NF20L
    ST Mosfet场效应管 STN4NF20L

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF20L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    加购:4000
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4
    ST Mosfet场效应管 STD1NK60T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD1NK60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4405NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":828458}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4405NT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206GVTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVJS4405NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJS4405NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    ST Mosfet场效应管 STN1NF20 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STN1NF20 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN1NF20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
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