品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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输入电容:138pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
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输入电容:138pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
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输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:6.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
输入电容:138pF@25V
功率:39W
连续漏极电流:1A
漏源电压:600V
栅极电荷:6.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":42,"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN4NF20L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD1NK60T4
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":828458}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJS4405NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206GVTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJS4405NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: