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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
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输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
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规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
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功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：35.8A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：19mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@1mA
功率：55W
栅极电荷：17.3nC@10V
输入电容：1055pF@25V
ECCN：EAR99
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：35.8A
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
输入电容：1172pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：35.8A
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
输入电容：1172pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：17.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@25V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@100V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD90330E-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
连续漏极电流：35.8A
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：37.5mΩ@12.2A，10V
漏源电压：200V
输入电容：1172pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
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