采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R1-30YLC，115
功率：67W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1502pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.35mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€81W
阈值电压：2.4V@200µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@46A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€81W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@46A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：70，"21+"：3200，"22+"：16690}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€81W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@46A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2651pF@30V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：70，"21+"：3200，"22+"：16690}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R704PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€81W
阈值电压：2.4V@200µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@46A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2651pF@30V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2651pF@30V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2651pF@30V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2651pF@30V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
