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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8466EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFBF30S-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@2.2A，100V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
