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    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@75V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@75V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3405pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:112mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@20V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R080G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R080G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R080G7XTMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@490µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@400V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD350N06LGBTMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD350N06LGBTMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD350N06LGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG30N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG30N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R080G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R080G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R080G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:174W

    阈值电压:4V@490µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@400V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 DKI04103 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 DKI04103 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DKI04103

    工作温度:150℃

    功率:32W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@18.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ34NPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ34NPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW34NM60N

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2722pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ34NPBF 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ34NPBF 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ34NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080AW7TL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080AW7TL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080AW7TL

    工作温度:175℃

    功率:125W

    阈值电压:5.6V@5mA

    栅极电荷:48nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:571pF@500V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@75V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:686pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:24.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP34NM60ND 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP34NM60ND 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP34NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@75V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ34NSTRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ34NSTRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ34NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD350N06LGBTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD350N06LGBTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD350N06LGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115 起订1734个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN030-60YS,115 起订1734个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2830}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:686pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:24.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080AW7TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080AW7TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080AW7TL

    工作温度:175℃

    功率:125W

    阈值电压:5.6V@5mA

    栅极电荷:48nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:571pF@500V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L080N120SC1 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L080N120SC1 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L080N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订120个装
    ST Mosfet场效应管 STW34NM60N 起订120个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW34NM60N

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2722pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L080N120SC1 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L080N120SC1 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L080N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.3V@5mA

    栅极电荷:56nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@800V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD350N06LGBTMA1 起订1114个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD350N06LGBTMA1 起订1114个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2449}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD350N06LGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2V@28µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@30V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    SANKEN Mosfet场效应管 DKI04103 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 DKI04103 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DKI04103

    工作温度:150℃

    功率:32W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@18.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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