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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 12A
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L050GNTB

    工作温度:150℃

    功率:14.8W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STB18N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB18N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:295mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L050GNTB

    工作温度:150℃

    功率:14.8W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E120BNTB 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E120BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L050GNTB

    工作温度:150℃

    功率:14.8W

    阈值电压:2.5V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STD14NM50NAG
    ST Mosfet场效应管 STD14NM50NAG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD14NM50NAG

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:816pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L050GNTB

    工作温度:150℃

    功率:14.8W

    阈值电压:2.5V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3L050GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3L050GNTB

    工作温度:150℃

    功率:14.8W

    阈值电压:2.5V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@30V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:61mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    ST Mosfet场效应管 STD14NM50NAG
    ST Mosfet场效应管 STD14NM50NAG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD14NM50NAG

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:816pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5
    ST Mosfet场效应管 STD16N65M5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N65M5

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI03080
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI03080

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI03080

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI03080
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI03080

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI03080

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD14NM50NAG
    ST Mosfet场效应管 STD14NM50NAG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD14NM50NAG

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:816pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2
    ST Mosfet场效应管 STD16N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16N60M2

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
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