品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB260N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:260mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
导通电阻:94mΩ@6A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
功率:1.5W€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
阈值电压:3.5V@250µA
功率:125W
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1948pF@380V
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3R0L-F154
阈值电压:4.5V@290µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:650V
功率:31W
包装方式:管件
输入电容:1010pF@400V
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
规格型号(MPN):FCMT299N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
阈值电压:3.5V@250µA
功率:125W
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1948pF@380V
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MTD3055V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
功率:3.9W€48W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:150mΩ@6A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
导通电阻:10mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
导通电阻:94mΩ@6A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
功率:1.5W€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":18901,"21+":283,"MI+":2000}
规格型号(MPN):FDPF13N50FT
栅极电荷:39nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:42W
输入电容:1930pF@25V
包装方式:管件
导通电阻:540mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB260N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:260mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:20nC@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:104mΩ@6A,5V
功率:1.5W€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:20nC@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:104mΩ@6A,5V
功率:1.5W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1948pF@380V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB260N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTP3055VL
工作温度:-65℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF680N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF12N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1676pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76407D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: