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    品牌: ON SEMI
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 12A
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    价格
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    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB260N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:260mΩ@6A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    功率:1.5W€48W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":12000}

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:125W

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:1948pF@380V

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF250N65S3R0L-F154 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF250N65S3R0L-F154 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF250N65S3R0L-F154

    阈值电压:4.5V@290µA

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:650V

    功率:31W

    包装方式:管件

    输入电容:1010pF@400V

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:125W

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:1948pF@380V

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订164个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订164个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":12000}

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTD3055V 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTD3055V 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTD3055V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    功率:3.9W€48W

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:150mΩ@6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5672

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2200pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    功率:1.5W€48W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF13N50FT 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF13N50FT 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"18+":18901,"21+":283,"MI+":2000}

    规格型号(MPN):FDPF13N50FT

    栅极电荷:39nC@10V

    漏源电压:500V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:42W

    输入电容:1930pF@25V

    包装方式:管件

    导通电阻:540mΩ@6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB260N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:260mΩ@6A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    输入电容:440pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:20nC@5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    功率:1.5W€48W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":12000}

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    输入电容:440pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:20nC@5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    功率:1.5W€48W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB260N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3632-F085 起订67个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":388}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3632-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:67
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTP3055VL

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF680N10T 起订534个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF680N10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:534
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76407D3ST 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76407D3ST 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76407D3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@13A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055-094T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
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