采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R225CFD7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：554，"19+"：2500，"MI+"：681}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60DM2
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：653850，"MI+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60DM2
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N60M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB18N60DM2
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：295mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：51W
阈值电压：4.5V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：656pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N60DM6
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：338mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：653850，"MI+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R210CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：64W
阈值电压：4.5V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N60M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
