销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y102-100B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU15N10A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU15N10A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM900N10CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU15N10A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU15N10A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU15N10A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y102-100B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):15N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU15N10A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: