销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N65K3
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7NK40Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":13978,"9999":423}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R500CEXKSA2
工作温度:-40℃~150℃
功率:28W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:433pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@2.3A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":221891,"18+":1258,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS70R1K4CEAKMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.7A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7490TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:53W
阈值电压:3.5V@130µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI740GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@3.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7490TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R1K5CEATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3.5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@100V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: