采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N20A
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N20A
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N20A
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N20A
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N20A
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：255pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：580mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：3W
输入电容：555pF@15V
栅极电荷：7nC@5V
导通电阻：60mΩ@5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM05N03CW RPG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：3W
输入电容：555pF@15V
栅极电荷：7nC@5V
导通电阻：60mΩ@5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB29XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€17W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU9N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS5N15F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@2.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
