采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：38855，"10+"：8055，"11+"：2000，"12+"：8954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF5N50FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF5N50FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF5N50FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：38855，"10+"：8055，"11+"：2000，"12+"：8954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：38855，"10+"：8055，"11+"：2000，"12+"：8954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF5N50FD
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CZ C0G
漏源电压：500V
阈值电压：4.5V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：5A
功率：89W
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.5A，10V
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：586pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM5NC50CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：586pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@2.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF5N50T
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：200psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4017(Q)
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：730pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
