采购热线 400-661-9010
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1828TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5pF@3V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@10mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1828TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5pF@3V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@10mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SST213 SOT-143 4L ROHS
工作温度：-55℃~125℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@1mA，10V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1828TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5pF@3V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：40Ω@10mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS127S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：1.08nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：160Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
