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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    输入电容:1273pF@100V

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R045C7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R045C7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA65R045C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4340pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP18N65X2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP18N65X2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP18N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@1.5mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1520pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":35075,"22+":12950}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:349
    ST Mosfet场效应管 STFU24N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STFU24N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP18N50
    onsemi Mosfet场效应管 FDP18N50

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP18N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:265mΩ@9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R125CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:92W

    阈值电压:4.5V@390µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1503pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STF25N60M2-EP
    ST Mosfet场效应管 STF25N60M2-EP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF25N60M2-EP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:188mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF640SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF640SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R125C7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R125C7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R125C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:101W

    阈值电压:4V@440µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@8.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R180P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N50
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N50

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF18N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2860pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:265mΩ@9A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAW60R180P7SXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAW60R180P7SXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):45psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAW60R180P7SXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:450
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF18N20FT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF18N20FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1180pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR24N100Q3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR24N100Q3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR24N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:490mΩ@12A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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