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    类型: N沟道
    连续漏极电流: 18A
    漏源电压: 600V
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CF C0G 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1311pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1273pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB190CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB190CZ C0G

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33.8W

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@6A,10V

    输入电容:1273pF@100V

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STFU24N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STFU24N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R125CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:92W

    阈值电压:4.5V@390µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1503pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STF25N60M2-EP
    ST Mosfet场效应管 STF25N60M2-EP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF25N60M2-EP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:188mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180P7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R180P7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STF24N60M2 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STW24N60M2
    ST Mosfet场效应管 STW24N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP24N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP24N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW24N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STW24N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA18N60X
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA18N60X

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA18N60X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:1000
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH18N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125CFD7XKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R125CFD7XKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R125CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:92W

    阈值电压:4.5V@390µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1503pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STF25N60M2-EP 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STF25N60M2-EP 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF25N60M2-EP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:188mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH18N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
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