品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":18845}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7277-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1820,"20+":1940,"22+":4241,"23+":11785}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD640N06LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@16µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1358pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1358pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":995}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLZ24NS
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€45W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:管件
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@11A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1358pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4020TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4080EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1358pF@40V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: