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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R460CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@3.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R310E6AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R460CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@3.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"15+"：3000}
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规格型号(MPN)：IPL65R310E6AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
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规格型号(MPN)：IPL65R310E6AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
输入电容：454pF@50V
导通电阻：59mΩ@5A，10V
栅极电荷：5.6nC@10V
连续漏极电流：13.1A
功率：2.5W€20.2W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R460CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：74W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@3.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R310E6AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€20.2W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：454pF@50V
连续漏极电流：13.1A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD19538Q2T
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
输入电容：454pF@50V
导通电阻：59mΩ@5A，10V
栅极电荷：5.6nC@10V
连续漏极电流：13.1A
功率：2.5W€20.2W
ECCN：EAR99
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库存：
