品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1
输入电容:20.9pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.8V@13µA
类型:N沟道
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
导通电阻:6Ω@190mA,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:275pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:2.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6433XTMA1
输入电容:20.9pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.8V@13µA
类型:N沟道
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
导通电阻:6Ω@190mA,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS126H6906XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:2.1nC@5V
类型:N沟道
阈值电压:1.6V@8µA
导通电阻:500Ω@16mA,10V
功率:500mW
漏源电压:600V
连续漏极电流:21mA
ECCN:EAR99
输入电容:28pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
输入电容:20.9pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.8V@13µA
类型:N沟道
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123IXTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.8V@13µA
类型:N沟道
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
导通电阻:6Ω@190mA,10V
栅极电荷:0.63nC@10V
输入电容:15pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6000,"15+":1695}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD816SNH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.6nC@2.5V
导通电阻:160mΩ@1.4A,2.5V
输入电容:180pF@10V
功率:500mW
阈值电压:950mV@3.7µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS214NWH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:0.8nC@5V
输入电容:143pF@10V
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
连续漏极电流:1.5A
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
阈值电压:2V@3.7µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
输入电容:94pF@15V
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
栅极电荷:0.6nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:20pF@25V
功率:500mW
栅极电荷:0.6nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":3000,"21+":20547}
规格型号(MPN):BSR302NL6327HTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
连续漏极电流:3.7A
输入电容:750pF@15V
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@5V
导通电阻:23mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
阈值电压:2V@3.7µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
输入电容:94pF@15V
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
连续漏极电流:1.4A
栅极电荷:0.6nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:275pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:2.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS127H6327XTSA2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
阈值电压:2.6V@8µA
功率:500mW
栅极电荷:1nC@10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:21mA
输入电容:28pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:3.2nC@4.5V
输入电容:419pF@10V
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6433XTMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:1.5nC@10V
功率:500mW
输入电容:43pF@25V
阈值电压:1.4V@26µA
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:275pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:2.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
输入电容:20.9pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.8V@13µA
类型:N沟道
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
输入电容:20.9pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.8V@13µA
类型:N沟道
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1
输入电容:20.9pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.3V@13µA
类型:N沟道
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
栅极电荷:0.6nC@10V
导通电阻:6Ω@190mA,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1
输入电容:20.9pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.3V@13µA
类型:N沟道
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
栅极电荷:0.6nC@10V
导通电阻:6Ω@190mA,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:1.5nC@10V
功率:500mW
输入电容:43pF@25V
阈值电压:1.4V@26µA
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123NH6327XTSA1
输入电容:20.9pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.8V@13µA
类型:N沟道
栅极电荷:0.9nC@10V
功率:500mW
连续漏极电流:190mA
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:20pF@25V
功率:500mW
栅极电荷:0.6nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS126H6327XTSA2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:2.1nC@5V
类型:N沟道
阈值电压:1.6V@8µA
导通电阻:500Ω@16mA,10V
功率:500mW
漏源电压:600V
连续漏极电流:21mA
输入电容:28pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
阈值电压:2V@3.7µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
输入电容:94pF@15V
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
连续漏极电流:1.4A
栅极电荷:0.6nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H6327XTSA2
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:20pF@25V
功率:500mW
栅极电荷:0.6nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:275pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@11µA
功率:500mW
栅极电荷:1.5nC@5V
连续漏极电流:2.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:1.5nC@10V
功率:500mW
连续漏极电流:230mA
输入电容:45pF@25V
导通电阻:5Ω@230mA,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:1.8V@26µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1
阈值电压:2V@3.7µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
输入电容:94pF@15V
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
栅极电荷:0.6nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: