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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：490，"22+"：27416，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7470TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3430pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1969}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1969}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7470TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3430pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7456TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7470TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3430pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4672A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4766pF@20V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@11A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
