首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型: N沟道
    功率: 60W
    漏源电压: 650V
    当前匹配商品:70+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9N65M2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP9N65M2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9N65M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9N65M2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP9N65M2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9N65M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB5N65APBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB5N65APBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB5N65APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1417pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:930mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7N65M2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD7N65M2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7N65M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD7N65M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP9N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP9N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP9N65M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD7N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STU7N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STU7N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STU7N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:270pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD9N65M2 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N65M2 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N65M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6P65W,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@300V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@2.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD7N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD9N65M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD9N65M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD9N65M2

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK560P65Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:560mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧