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    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0853DPB-00#J5 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0853DPB-00#J5 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0853DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:65W

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6170pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y12-40E,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y12-40E,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y12-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:9.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1423pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@25V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@86A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订131个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订131个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:5.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@800V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:468mΩ@2A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:5.7V@1mA

    栅极电荷:5.9nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@800V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:468mΩ@2A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN075-100MSEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN075-100MSEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:773pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R7-40MLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R7-40MLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R7-40MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R7-40HX 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R7-40HX 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1500,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R7-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2054pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R7-40MLDX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R7-40MLDX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R7-40MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:5.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@800V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:468mΩ@2A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@25V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@86A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-40EX 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-40EX 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1039pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-40EX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-40EX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1039pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG65R260M1HXTMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG65R260M1HXTMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:5.7V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:201pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:346mΩ@3.6A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R7-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R7-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R7-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2054pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN075-100MSEX 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN075-100MSEX 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:773pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@25V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@86A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8721PBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB8721PBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB8721PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1077pF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@31A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-30MLDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-30MLDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1795pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@30µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@25V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@86A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK4006DPD-00#J2 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK4006DPD-00#J2 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":28080}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK4006DPD-00#J2

    工作温度:150℃

    功率:65W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK4006DPD-00#J2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK4006DPD-00#J2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":28080}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK4006DPD-00#J2

    工作温度:150℃

    功率:65W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-30MLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-30MLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1795pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-30MLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R2-30MLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R2-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1795pF@15V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S405ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S405ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2960pF@25V

    连续漏极电流:86A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@86A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R350M1HXTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R350M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:5.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.9nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@800V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:468mΩ@2A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-60E,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG65R260M1HXTMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG65R260M1HXTMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:5.7V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:201pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:346mΩ@3.6A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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