首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型
    功率
    2W
    行业应用
    类型: N沟道
    功率: 2W
    当前匹配商品:2100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUS100N02TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11GTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:710mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SEQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206GVTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN0545GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@25V

    连续漏极电流:140mA

    类型:N沟道

    导通电阻:50Ω@100mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP161A1265PR-G 起订4个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP161A1265PR-G 起订4个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP161A1265PR-G

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2398ES-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2398ES-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:3.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:152pF@50V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4525GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@1mA

    栅极电荷:3.65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:72pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5802TRPBF 起订12个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5802TRPBF 起订12个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5802TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@540mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT4N50NZU 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT4N50NZU 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT4N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5802TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5802TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5802TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@540mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E080BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.6mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A11GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:274pF@50V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订13个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订13个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧