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    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3369pF@75V

    连续漏极电流:9.4A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订17个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订17个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPBF 起订14个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPBF 起订14个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0040TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN3145N8-G 起订2000个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN3145N8-G 起订2000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN3145N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:60Ω@100mA,0V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32136C 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32136C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6244TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6244TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@16V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@6.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6005LSS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6005LSS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6005LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2962pF@30V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订31个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2030TRPBF 起订31个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2030TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@25µA

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0100TRPBF 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0100TRPBF 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0100TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2640LG-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2640LG-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS5402T1 起订1687个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS5402T1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0030TRPBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0030TRPBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0030TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@25µA

    栅极电荷:2.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:382pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0040TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@25µA

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32338C 起订32个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32338C 起订32个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32338C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN3135N8-G 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN3135N8-G 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN3135N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:135mA

    类型:N沟道

    导通电阻:35Ω@150mA,0V

    漏源电压:350V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6346TRPBF 起订16个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6346TRPBF 起订16个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6346TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@24V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML6344TRPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML6344TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订49个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订49个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPbF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML0040TRPbF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML0040TRPbF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@25V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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