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    类型: N沟道
    功率: 430mW
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    参数
    库存/批次
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.24A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订53个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订53个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订100个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订100个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订100个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订100个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0SFD-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0SFD-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30.2pF@25V

    连续漏极电流:540mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0SFD-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0SFD-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30.2pF@25V

    连续漏极电流:540mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订20000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订20000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订1000个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订1000个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订800个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订800个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.24A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0SFD-7 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0SFD-7 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30.2pF@25V

    连续漏极电流:540mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订20000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订20000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订9000个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订9000个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0SFD-7 起订132000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0SFD-7 起订132000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30.2pF@25V

    连续漏极电流:540mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS138 起订1000个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS138 起订1000个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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