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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：146849，"16+"：16500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R950CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2150
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：管件
输入电容：630pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：554，"19+"：2500，"MI+"：681}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：235740，"15+"：21000，"16+"：1500，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R950CEAKMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2104
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：221891，"18+"：1258，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS70R1K4CEAKMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：653850，"MI+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2104
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70R1K4CEAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：146849，"16+"：16500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R950CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：653850，"MI+"：12500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP20N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：40500，"16+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU50R950CEAKMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
