品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
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导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
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导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
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导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
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漏源电压:40V
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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输入电容:9100pF@100V
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类型:N沟道
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工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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栅极电荷:165nC@10V
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输入电容:9100pF@100V
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功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
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漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
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功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
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规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:104W
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
输入电容:9100pF@100V
栅极电荷:165nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
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