品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G23N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N25CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":930}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF44N25TRDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":538907,"17+":22500,"16+":41500,"MI+":665,"18+":2011}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP03N60C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G23N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":16630,"04+":2000,"10+":9450,"11+":100,"16+":50,"17+":480,"18+":1500,"19+":30800,"MI+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP03N60S5XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5.5V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP03N60S5XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5.5V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@75V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2475,"22+":37500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF44N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF44N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2475,"22+":37500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N50C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:3.9V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF125N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4.5V@2.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1790pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF51N25YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF630
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: