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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT65R105G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT65R105G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT65R105G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{}
规格型号(MPN)：IPT65R105G7XTMA1
阈值电压：4V@440µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
导通电阻：105mΩ@8.9A，10V
输入电容：1670pF@400V
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：24A
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
导通电阻：271mΩ@7A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：1749pF@100V
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
连续漏极电流：17.3A
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
工作温度：150℃
功率：156W
输入电容：1800pF@300V
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：3.5V@900µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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