采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1451pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4173pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC11N65K
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB033N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.1V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4044pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：12350，"22+"：865，"23+"：9200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：3.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5980pF@40V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4044pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB083N15N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4.9V@134µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4173pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N08S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4V@120µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4044pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：3.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5980pF@40V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：3.8V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5980pF@40V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：7472，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N08S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：7472，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N08S404AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6450pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG080N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1154pF@800V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
