品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4044pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":12350,"22+":865,"23+":9200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4044pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.9V@134µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@75V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4044pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.55mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":12350,"22+":865,"23+":9200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":840,"22+":8293,"23+":22000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG080N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4.3V@5mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1154pF@800V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":840,"22+":8293,"23+":22000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N08S5N026AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:3.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5980pF@40V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB083N15N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.9V@134µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@75V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@100A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: