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    类型: N沟道
    功率: 263W
    当前匹配商品:100+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订280个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订280个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-60PSQ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-60PSQ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R9-60PSQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5600pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PSMN8R5-108ESQ 起订479个装
    NXP Mosfet场效应管 PSMN8R5-108ESQ 起订479个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":466}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-108ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:108V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订584个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订584个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK964R2-60E,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10918pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10918pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R5-55C,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R5-55C,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4916,"9999":15}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK653R5-55C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:191nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11516pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R5-55C,127 起订300个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R5-55C,127 起订300个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4916,"9999":15}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK653R5-55C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:191nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11516pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R5-55C,127 起订349个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R5-55C,127 起订349个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK653R5-55C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    栅极电荷:191nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11516pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R1-30C,127 起订5000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R1-30C,127 起订5000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4998,"9999":6}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK652R1-30C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10918pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R9-60E,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK763R9-60E,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1487}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK763R9-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK969R3-100E,118 起订290个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK969R3-100E,118 起订290个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4028}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK969R3-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11650pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订295个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK661R8-30C,118 起订295个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10918pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R6-40C,127 起订349个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK652R6-40C,127 起订349个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":3000,"9999":41}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK652R6-40C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:199nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11334pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R5-55C,127 起订147个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK653R5-55C,127 起订147个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4916,"9999":15}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK653R5-55C,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:191nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11516pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ140EP-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3855pF@25V

    连续漏极电流:266A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK762R6-40E,118 起订275个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK762R6-40E,118 起订275个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":796}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK762R6-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7130pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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