采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4916，"9999"：15}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：191nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11516pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4916，"9999"：15}
销售单位：个
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类型：N沟道
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漏源电压：55V
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库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
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库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4998，"9999"：6}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R1-30C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"9999"：41}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：199nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11334pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4916，"9999"：15}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：191nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11516pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"9999"：41}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
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功率：263W
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栅极电荷：199nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4916，"9999"：15}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：191nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11516pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"9999"：41}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：199nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11334pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：199nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11334pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：199nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11334pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"20+"：3200}
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
输入电容：10918pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：263W
栅极电荷：168nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.8V@1mA
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：10965pF@40V
功率：263W
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：144nC@10V
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：3000，"9999"：41}
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
输入电容：11334pF@25V
功率：263W
栅极电荷：199nC@10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：2.8V@1mA
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4998，"9999"：6}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R1-30C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
