采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT30N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：270W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：105nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@900µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R8-30BL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10180pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39J60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：3.7V@1.9mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT30N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：270W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：105nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK065U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4V@1.69mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@300V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT30N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：270W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：105nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT30N120
工作温度：-55℃~200℃
功率：270W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：105nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@900µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK065U65Z，RQ
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4V@1.69mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@300V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35N65W，S1F
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@12A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
