品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2500,"19+":37000,"22+":39000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R1K5CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU9N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD050N20TL
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2500,"19+":37000,"22+":39000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R1K5CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD050N20TL
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7NM60N
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7NM60N
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7NM60N
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7NM60N
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU9N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD050N20TL
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
栅极电荷:8.8nC@10V
输入电容:271pF@100V
功率:20W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:271pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF8NM50N
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
功率:20W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7NM60N
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD050N20TL
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@2.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF7NM60N
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:363pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):200psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4017(Q)
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:730pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU9N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: