品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@30V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17480}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@30V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT33J
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:3.5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@20V
包装方式:管件
输入电容:238pF@1000V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:3300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1215pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1215pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@30V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1215pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2458pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1215pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17480}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@30V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2490pF@12V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.27mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1215pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@40V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: