品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L180GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@30V
连续漏极电流:18A€68A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L180GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@30V
连续漏极电流:18A€68A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L145GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.7V@200µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1880pF@30V
连续漏极电流:14.5A€47A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@14.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L145GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.7V@200µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1880pF@30V
连续漏极电流:14.5A€47A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@14.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L120GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.7V@200µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@30V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L120GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.7V@200µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@30V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L120GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.7V@200µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@30V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L120GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.7V@200µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@30V
连续漏极电流:12A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12.7mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L180GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@30V
连续漏极电流:18A€68A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L180GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@30V
连续漏极电流:18A€68A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L145GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.7V@200µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1880pF@30V
连续漏极电流:14.5A€47A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@14.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L180GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3230pF@30V
连续漏极电流:18A€68A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STN3N45K3
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:164pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@600mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: