品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R180P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45N10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":35075,"22+":12950}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5810-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7.4A€37A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R180P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R190C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@290µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R180P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":100,"05+":181600,"08+":346,"11+":1000,"12+":47030,"15+":5000,"9999":20,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8NF25
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R190C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@290µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":35075,"22+":12950}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R190C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@290µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45N10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180P7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R180P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45N10-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@50V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@400V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4193,"23+":20160,"MI+":3557}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":100,"05+":181600,"08+":346,"11+":1000,"12+":47030,"15+":5000,"9999":20,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:72W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5810-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7.4A€37A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@290µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:72W
阈值电压:4V@290µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N08S413ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:4V@33µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1711pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: