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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
功率：45W
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类型：N沟道
输入电容：1225pF@30V
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工作温度：-55℃~175℃
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK110A65Z，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.02mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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