品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":18845}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7277-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:807pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5469pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5469pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:807pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":623}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF12N60C
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2290pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5469pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4272,"19+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R750P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@12V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5469pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R280PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:51W
阈值电压:4.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:656pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@3.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:51W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:13.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@15V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: